频率 170 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 50 @5mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 85
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP68,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCP68,115 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 650 mW, 2 A, 85 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP68,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-73 NPN 1350mW | 当前型号 | NXP BCP68,115 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 650 mW, 2 A, 85 hFE | 当前型号 | |
型号: BCP68T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 20V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP68T1G 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE | BCP68,115和BCP68T1G的区别 | |
型号: FZT1048ATA 品牌: 美台 封装: SOT-223 NPN 17.5V 5A | 功能相似 | FZT1048 Series NPN 17.5V 5A 0.5W1/2W High Voltage Transistor - SOT223 | BCP68,115和FZT1048ATA的区别 | |
型号: FZT489TA 品牌: 美台 封装: SOT-223 NPN 30V 1A 2000mW | 功能相似 | FZT489 系列 NPN 1 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223 | BCP68,115和FZT489TA的区别 |