BD2270HFV-TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BD2270HFV-TR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 130µs, 18µs
输出接口数 1
输出电压 9.5 V
耗散功率 669 mW
下降时间 18 µs
下降时间Max 60000 ns
上升时间Max 750000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 25 ℃
耗散功率Max 669 mW
电源电压 2.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-665
外形尺寸
封装 SOT-665
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BD2270HFV-TR引脚图与封装图 
BD2270HFV-TR引脚图
BD2270HFV-TR封装图
BD2270HFV-TR封装焊盘图
在线购买BD2270HFV-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD2270HFV-TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MOSFET DRVR 1Out Hi Side Non-Inv 5Pin HVSOF T/R | 搜索库存 |
替代型号BD2270HFV-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD2270HFV-TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： HVSOF 5Pin | 当前型号 | MOSFET DRVR 1Out Hi Side Non-Inv 5Pin HVSOF T/R | 当前型号 |
| 型号： BD2270HFV 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 对于高端NMOSFET控制器IC Controller ICs for High Side NMOSFET | BD2270HFV-TR和BD2270HFV的区别 |