
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.3333333333333333 W
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 110
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 330 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC 847B E6327 | Infineon 英飞凌 | NPN 晶体管,Infineon ### 双极晶体管,Infineon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC 847B E6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 45V 100mA | 当前型号 | NPN 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon | 当前型号 | |
型号: BC847BLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 450 hFE | BC 847B E6327和BC847BLT1G的区别 | |
型号: BC847BLT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BLT3G 新 | BC 847B E6327和BC847BLT3G的区别 |