
电源电压DC 5.00 V
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 2000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 DIP-36
长度 52.96 mm
宽度 18.42 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead

BQ4017MC-70引脚图

BQ4017MC-70封装图

BQ4017MC-70封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BQ4017MC-70 | TI 德州仪器 | 2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BQ4017MC-70 品牌: TI 德州仪器 封装: DIP 2000000B 5V 70ns 36Pin | 当前型号 | 2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM | 当前型号 | |
型号: BQ4017YMC-70 品牌: 德州仪器 封装: DIP 2000000B 5V 36Pin | 完全替代 | 2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM | BQ4017MC-70和BQ4017YMC-70的区别 | |
型号: DS1270Y-70# 品牌: 美信 封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin | 功能相似 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | BQ4017MC-70和DS1270Y-70#的区别 | |
型号: DS1270Y-70IND# 品牌: 美信 封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin | 功能相似 | 非易失性SRAM NVSRAM, 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36 | BQ4017MC-70和DS1270Y-70IND#的区别 |