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BQ4017MC-70

BQ4017MC-70

TI 德州仪器 主动器件
BQ4017MC-70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 2000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

长度 52.96 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BQ4017MC-70引脚图与封装图
BQ4017MC-70引脚图

BQ4017MC-70引脚图

BQ4017MC-70封装图

BQ4017MC-70封装图

BQ4017MC-70封装焊盘图

BQ4017MC-70封装焊盘图

在线购买BQ4017MC-70
型号 制造商 描述 购买
BQ4017MC-70 TI 德州仪器 2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM 搜索库存
替代型号BQ4017MC-70
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BQ4017MC-70

品牌: TI 德州仪器

封装: DIP 2000000B 5V 70ns 36Pin

当前型号

2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM

当前型号

型号: BQ4017YMC-70

品牌: 德州仪器

封装: DIP 2000000B 5V 36Pin

完全替代

2048Kx8非易失SRAM 2048Kx8 Nonvolatile SRAM

BQ4017MC-70和BQ4017YMC-70的区别

型号: DS1270Y-70#

品牌: 美信

封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin

功能相似

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

BQ4017MC-70和DS1270Y-70#的区别

型号: DS1270Y-70IND#

品牌: 美信

封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin

功能相似

非易失性SRAM NVSRAM, 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

BQ4017MC-70和DS1270Y-70IND#的区别