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BSC109N10NS3 G

BSC109N10NS3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC109N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2.7 V

Summary of Features:

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Excellent switching performance
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World’s lowest R DSon
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Very low Q g and Q gd
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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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RoHS compliant-halogen free
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MSL1 rated 2

Benefits:

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Environmentally friendly
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Increased efficiency
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Highest power density
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Less paralleling required
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Smallest board-space consumption
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Easy-to-design products
BSC109N10NS3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0098 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 2500pF @50VVds

额定功率Max 78 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSC109N10NS3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC109N10NS3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC109N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存