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BAW56E6327

BAW56E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80V 200mA DC Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3


得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23


Chip1Stop:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23


BAW56E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 200 mA

电容 2.00 pF

正向电压 1.25V @150mA

反向恢复时间 4 ns

正向电压Max 1.25V @150mA

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAW56E6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAW56E6327 Infineon 英飞凌 Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存
替代型号BAW56E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAW56E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 70V 200mA

当前型号

Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

当前型号

型号: BAW56Q-7-F

品牌: 美台

封装: TO-236-3

类似代替

三极管

BAW56E6327和BAW56Q-7-F的区别

型号: BAW56LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 70V 200mA 3Pin

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BAW56LT1G..  二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

BAW56E6327和BAW56LT1G的区别

型号: BAW56LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 70V 200mA 3Pin

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BAW56LT3G  二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 kV, 6 ns, 4 A 新

BAW56E6327和BAW56LT3G的区别