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BAT54ALT3G

BAT54ALT3G

数据手册.pdf

肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes

The Common Anode Schottky Diode is designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. The miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.

Features

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 |

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Extremely Fast Switching Speed
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Low Forward Voltage 0.35 Volts Typ @ IF = 10 mAdc
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Pb-Free Packages are Available
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S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable
BAT54ALT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

正向电压 800mV @100mA

反向恢复时间 5 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 800mV @100mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAT54ALT3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAT54ALT3G ON Semiconductor 安森美 肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes 搜索库存
替代型号BAT54ALT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAT54ALT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 30V 200mA

当前型号

肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diodes

当前型号

型号: BAT54ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 30V 10A

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BAT54ALT1G  小信号肖特基二极管, 双共阳极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

BAT54ALT3G和BAT54ALT1G的区别

型号: BAT54CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 30V 200mA

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BAT54CLT1G  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

BAT54ALT3G和BAT54CLT1G的区别

型号: BAT54CLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3

类似代替

900mA,ON Semiconductor### 标准Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.### 二极管和整流器,ON Semiconductor

BAT54ALT3G和BAT54CLT3G的区别