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B82422A3331K108

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数据手册.pdf
Epcos 爱普科斯 被动器件

Ind Chip Molded Wirewound 330nH 10% 1MHz 22Q-Factor Ceramic 200mA 1210 Blister T/R

330nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.3Ohm Max 2-SMD, J-Lead


B82422A3331K108中文资料参数规格
技术参数

额定电流 200 mA

自谐频率 580 MHz

封装参数

封装 3225

外形尺寸

封装 3225

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

B82422A3331K108引脚图与封装图
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