BSS215P H6327
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSS215P H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 105 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 9.7 ns
输入电容Ciss 346pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS215P H6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS215P H6327 | Infineon 英飞凌 | INFINEON BSS215P H6327 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-23-3 | 搜索库存 |