BD7836EFV-E2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BD7836EFV-E2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 3200 mW
输出功率 3.2 W
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 3200 mW
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 20
封装 HTSSOP-20
外形尺寸
封装 HTSSOP-20
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BD7836EFV-E2引脚图与封装图 
BD7836EFV-E2引脚图
BD7836EFV-E2封装图
BD7836EFV-E2封装焊盘图
在线购买BD7836EFV-E2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD7836EFV-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1.9W + 1.9W立体声扬声器放大器 1.9W+1.9W Stereo Speaker Amplifier | 搜索库存 |
替代型号BD7836EFV-E2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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