BSS84_NL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
BSS84_NL中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 0.36 W
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.13A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS84_NL引脚图与封装图
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在线购买BSS84_NL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS84_NL | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号BSS84_NL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS84_NL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 |
| 型号： BSS84 品牌： 安森美 封装： SOT-23 | 类似代替 | 增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BSS84_NL和BSS84的区别 |
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