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BSO203PNTMA1

BSO203PNTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

DSO P-CH 20V 8.2A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 8.2A 2W 表面贴装型 P-DSO-8


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO T/R


BSO203PNTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.2A

输入电容Ciss 2242pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 P-DSO-8

外形尺寸

封装 P-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSO203PNTMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSO203PNTMA1 Infineon 英飞凌 DSO P-CH 20V 8.2A 搜索库存
替代型号BSO203PNTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSO203PNTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH

当前型号

DSO P-CH 20V 8.2A

当前型号

型号: BSO203PHXUMA1

品牌: 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH 20V 7A

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