BG3123H6327XTSA1

Infineon(英飞凌) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

RF Mosfet 2 N-Channel Dual 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6

得捷:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

BG3123H6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

增益 25 dB

测试电流 14 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BG3123H6327XTSA1引脚图与封装图

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