BFG135AE6327XT
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 9dB ~ 14dB
最小电流放大倍数hFE 80 @100mA, 8V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BFG135AE6327XT | Infineon 英飞凌 | Trans RF BJT NPN 15V 0.15A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |