BD249-S
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
分立器件
BD249-S中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 10 @15A, 4V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
外形尺寸
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-218-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD249-S引脚图与封装图
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在线购买BD249-S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD249-S | Bourns J.W. Miller 伯恩斯 | NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号BD249-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD249-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： SOT-93-3 NPN | 当前型号 | NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： BD249 品牌： 伯恩斯 封装： | 功能相似 | NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS | BD249-S和BD249的区别 |