频率 300 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC546 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA 0.5W | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: ZTX753 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 100V 2A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX753 单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 140 MHz, 1 W, -2 A, 100 hFE | BC546和ZTX753的区别 | |
型号: ZTX553 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 100V 1A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX553 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE | BC546和ZTX553的区别 | |
型号: ZTX614 品牌: 美台 封装: TO-92 NPN 100V 800mA 1000mW | 功能相似 | ZTX614 系列 100 V 0.8 A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 | BC546和ZTX614的区别 |