BC 850B E6327

Infineon 英飞凌分立器件

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

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TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

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BC 850B E6327中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.3333333333333333 W

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 450

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC 850B E6327引脚图与封装图

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