BCP5610E6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCP5610E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCP5610E6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCP5610E6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP5610E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 NPN 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号BCP5610E6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP5610E6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 NPN | 当前型号 | SOT-223 NPN 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BCP56-10T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE | BCP5610E6327HTSA1和BCP56-10T1G的区别 |
| 型号： BCP56,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-73 NPN 960mW | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | BCP5610E6327HTSA1和BCP56,115的区别 |