BCP5116E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCP5116E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCP5116E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BCP5116E6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP5116E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 PNP 45V 1A | 搜索库存 |
替代型号BCP5116E6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP5116E6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 PNP | 当前型号 | SOT-223 PNP 45V 1A | 当前型号 |
| 型号： BCP51-16,115 品牌： 恩智浦 封装： TO-261-4 PNP 1350mW | 功能相似 | NXP BCP51-16,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE | BCP5116E6433HTMA1和BCP51-16,115的区别 |