BSV52LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BSV52LT1引脚图与封装图
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替代型号BSV52LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSV52LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA | 当前型号 | 开关晶体管 Switching Transistor | 当前型号 |
| 型号： BSV52LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 12V 200mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BSV52LT1G 单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE | BSV52LT1和BSV52LT1G的区别 |
| 型号： BSV52 品牌： 安森美 封装： SOT-23 225mW | 完全替代 | 小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BSV52LT1和BSV52的区别 |
| 型号： BSV52,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BSV52LT1和BSV52,215的区别 |