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BSP51
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 500mA 1W Surface Mount SOT-223-4


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT223-4


BSP51中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @150mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSP51引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSP51 Fairchild 飞兆/仙童 Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号BSP51
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP51

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 NPN 60V 800mA 1000mW

当前型号

Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: BSP52T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

BSP51和BSP52T1G的区别

型号: BSP52T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223

BSP51和BSP52T3G的区别

型号: BSP51,115

品牌: 安世

封装: SOT-223

功能相似

复合晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia

BSP51和BSP51,115的区别