额定电压DC 60.0 V
额定电流 800 mA
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @150mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP51 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP51 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-223 NPN 60V 800mA 1000mW | 当前型号 | Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 | |
型号: BSP52T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE | BSP51和BSP52T1G的区别 | |
型号: BSP52T3G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223 | BSP51和BSP52T3G的区别 | |
型号: BSP51,115 品牌: 安世 封装: SOT-223 | 功能相似 | 复合晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia | BSP51和BSP51,115的区别 |