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BCP5616E6327HTSA1

BCP5616E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-223 NPN 80V 1A

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 PG-SOT223-4


得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223-4


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A SOT-223


BCP5616E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5616E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCP5616E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-223 NPN 80V 1A 搜索库存
替代型号BCP5616E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP5616E6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-261-4 NPN

当前型号

SOT-223 NPN 80V 1A

当前型号

型号: BCP56-16T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW

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品牌: 安森美

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品牌: 意法半导体

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