极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP5616E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 NPN 80V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP5616E6327HTSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-261-4 NPN | 当前型号 | SOT-223 NPN 80V 1A | 当前型号 | |
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型号: BCP56-16T3G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新 | BCP5616E6327HTSA1和BCP56-16T3G的区别 | |
型号: BCP56-16 品牌: 意法半导体 封装: SOT223 NPN 1600mW | 功能相似 | NPN 晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。 | BCP5616E6327HTSA1和BCP56-16的区别 |