
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 110
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC550B 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 45V 100mA | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC547B 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 45V 100mA 500mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC547B 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE | BC550B和BC547B的区别 | |
型号: BC547BBU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 45V 100mA 500mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC547BBU 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE | BC550B和BC547BBU的区别 | |
型号: BC237B 品牌: Multicomp 封装: TO-92 NPN 350mW | 功能相似 | MULTICOMP BC237B 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 290 hFE | BC550B和BC237B的区别 |