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BC550B
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
BC550B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC550B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC550B
型号 制造商 描述 购买
BC550B Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BC550B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC550B

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 45V 100mA

当前型号

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: BC547B

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 45V 100mA 500mW

完全替代

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC547B  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE

BC550B和BC547B的区别

型号: BC547BBU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 45V 100mA 500mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC547BBU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE

BC550B和BC547BBU的区别

型号: BC237B

品牌: Multicomp

封装: TO-92 NPN 350mW

功能相似

MULTICOMP  BC237B  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 290 hFE

BC550B和BC237B的区别