BCX5516E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCX5516E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCX5516E6433HTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCX5516E6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCX5516E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 搜索库存 |
替代型号BCX5516E6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCX5516E6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 当前型号 |
| 型号： BCX 55-16 E6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-89 60V 1A | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | BCX5516E6433HTMA1和BCX 55-16 E6327的区别 |