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BC846AWT1G

BC846AWT1G

数据手册.pdf

SC-70 NPN 65V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 65V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323


得捷:
TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


BC846AWT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC846AWT1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC846AWT1G ON Semiconductor 安森美 SC-70 NPN 65V 0.1A 搜索库存
替代型号BC846AWT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC846AWT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 NPN 65V 100mA

当前型号

SC-70 NPN 65V 0.1A

当前型号

型号: BC846BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE

BC846AWT1G和BC846BLT1G的区别

型号: BC846ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC846ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC846AWT1G和BC846ALT1G的区别

型号: BC846BWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 65V 100mA 150mW

类似代替

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

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