BC639

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92

BC639中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC639引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BC639	Fairchild 飞兆/仙童	NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	搜索库存

替代型号BC639

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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