
额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC546BTFR 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 | |
型号: BC546BTA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA 500mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC546BTA 单晶体管 双极, 小信号, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE | BC546BTFR和BC546BTA的区别 | |
型号: BC546BTAR 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | BC546BTFR和BC546BTAR的区别 | |
型号: BC546BTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA 500mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC546BTF 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE | BC546BTFR和BC546BTF的区别 |