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BCW72LT1

BCW72LT1

数据手册.pdf

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 210mV/0.21V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •这些器件是无铅，无卤素，无BFR，并符合RoHS


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


BCW72LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BCW72LT1引脚图与封装图
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在线购买BCW72LT1
型号 制造商 描述 购买
BCW72LT1 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon 搜索库存
替代型号BCW72LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BCW72LT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 NPN 45V 100mA

当前型号

通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon

当前型号

型号： BCW72LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BCW72LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

BCW72LT1和BCW72LT1G的区别

型号： BCW72,215

品牌： 安世

封装：

功能相似

Nexperia BCW72,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

BCW72LT1和BCW72,215的区别

型号： BCW72,235

品牌： 恩智浦

封装： TO-236-3 NPN 250mW

功能相似

TO-236AB NPN 45V 0.1A

BCW72LT1和BCW72,235的区别