BUV21
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
BUV21中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 40.0 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 40A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 60
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BUV21引脚图与封装图
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在线购买BUV21
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUV21 | ON Semiconductor 安森美 | SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号BUV21
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUV21 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 200V 40A | 当前型号 | SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： BUV21G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 200V 40A 250000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BUV21G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新 | BUV21和BUV21G的区别 |