
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC237B 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 45V 100mA | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC237A 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 45V 100mA | 类似代替 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | BC237B和BC237A的区别 | |
型号: ZTX651 品牌: 美台 封装: TO-92 NPN 60V 2A 1500mW | 功能相似 | ZTX651 系列 NPN 2 A 60 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | BC237B和ZTX651的区别 | |
型号: ZTX651STZ 品牌: 美台 封装: TO-92 NPN 60V 2A 1500mW | 功能相似 | ZTX651STZ 编带 | BC237B和ZTX651STZ的区别 |