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BD533

互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Description

The devices are manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP types are BD534 and BD536.

Features

■ , BD535, and BD537 are NPN transistors


得捷:
TRANS NPN 45V 8A TO-220


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


BD533中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 25 @2A, 2V

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BD533引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BD533 ST Microelectronics 意法半导体 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 搜索库存
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型号: BD533

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 NPN 45V 8A

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