额定电压DC -45.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BC636 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -45V -1A 1W | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N2222 品牌: Multicomp 封装: TO-18 NPN 500mW | 功能相似 | MULTICOMP 2N2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE | BC636和2N2222的区别 | |
型号: BC636TA 品牌: 安森美 封装: TO-92 | 功能相似 | 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BC636和BC636TA的区别 |