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BC636
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS

·Complement to BC635/637/639


得捷:
TRANS PNP 45V 1A TO92-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TO-92 PNP GP AMP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC636  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 40 hFE


BC636中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC636引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC636 Fairchild 飞兆/仙童 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BC636
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC636

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -45V -1A 1W

当前型号

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: 2N2222

品牌: Multicomp

封装: TO-18 NPN 500mW

功能相似

MULTICOMP  2N2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE

BC636和2N2222的区别

型号: BC636TA

品牌: 安森美

封装: TO-92

功能相似

小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

BC636和BC636TA的区别