BCW33LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BCW33LT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCW33LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW33LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BCW33LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW33LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BCW33LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE | BCW33LT1和BCW33LT1G的区别 |
| 型号： BCW33LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BCW33LT1和BCW33LT3G的区别 |
| 型号： BCW33,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia BCW33,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=32 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BCW33LT1和BCW33,215的区别 |