BST15,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BST15,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1300 mW
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BST15,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BST15,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST15,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-89 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS HV TAPE-7 | 当前型号 |
| 型号： BF623 品牌： 安世 封装： SOT-89 | 功能相似 | 高电压晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia | BST15,115和BF623的区别 |
| 型号： BST15 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistors | BST15,115和BST15的区别 |