BZX85C39
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BZX85C39中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 39.0 V
容差 ±5 %
额定功率 1.00 W
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1 W
测试电流 6 mA
稳压值 39 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-41
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 2.72 mm
高度 2.72 mm
封装 DO-41
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX85C39引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BZX85C39
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX85C39 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-41 39V | 当前型号 | 齐纳二极管 Zeners | 当前型号 |
| 型号： 1N4754A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-41 39V | 功能相似 | 齐纳二极管 Zeners | BZX85C39和1N4754A的区别 |
| 型号： 1N5939BP-TP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | DO-41 39V 1.5W | BZX85C39和1N5939BP-TP的区别 |
| 型号： 1N5939B 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 39V VZ, 5%, 1.5W, | BZX85C39和1N5939B的区别 |