BC848CDXV6T1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
BC848CDXV6T1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC848CDXV6T1引脚图与封装图
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在线购买BC848CDXV6T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC848CDXV6T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号BC848CDXV6T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC848CDXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 32V 100mA | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC848CDXV6T1和BC848CDXV6T5的区别 |