BD241B-S

Bourns J.W. Miller 伯恩斯分立器件

TO-220 NPN 80V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 3A 2W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN 80V 3A TO220

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 80V 3A NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-220

BD241B-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BD241B-S引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BD241B-S	Bourns J.W. Miller 伯恩斯	TO-220 NPN 80V 3A	搜索库存

替代型号BD241B-S

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BD241B-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯封装： TO-220-3 NPN	当前型号	TO-220 NPN 80V 3A	当前型号
型号： BDT61 品牌：伯恩斯封装：	类似代替	NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BD241B-S和BDT61的区别
型号： BDW53 品牌：伯恩斯封装：	类似代替	NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BD241B-S和BDW53的区别
型号： TIP120 品牌：意法半导体封装： TO-220 NPN 60V 5A 2000mW	功能相似	STMICROELECTRONICS TIP120 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE	BD241B-S和TIP120的区别