BD899A-S
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
分立器件
BD899A-S中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 750 @4A, 3V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD899A-S引脚图与封装图
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在线购买BD899A-S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD899A-S | Bourns J.W. Miller 伯恩斯 | Trans Darlington NPN 80V 8A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号BD899A-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD899A-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： TO-220AB | 当前型号 | Trans Darlington NPN 80V 8A 3Pin3+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： BD249 品牌： Inchange Semiconductor 封装： | 功能相似 | Silicon NPN Power Transistors | BD899A-S和BD249的区别 |
| 型号： 2N5294 品牌： Rectron Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-220 - Power Transistors and Darlingtons | BD899A-S和2N5294的区别 |
| 型号： 2N5883 品牌： Solitron Devices 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 25A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | BD899A-S和2N5883的区别 |