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BCV29E6327HTSA1

BCV29E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-89 NPN 30V 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 150MHz 1W Surface Mount PG-SOT89


得捷:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89


艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
AF TRANSISTORS


BCV29E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 150 MHz

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCV29E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCV29E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-89 NPN 30V 0.5A 搜索库存
替代型号BCV29E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV29E6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-89 NPN 1000mW

当前型号

SOT-89 NPN 30V 0.5A

当前型号

型号: BCV29,115

品牌: 恩智浦

封装: TO-243AA NPN 1300mW

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