BDW93A-S
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
分立器件
BDW93A-S中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 750 @5A, 3V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BDW93A-S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BDW93A-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BDW93A-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： TO-220 NPN | 当前型号 | 达林顿晶体管 60V 12A NPN | 当前型号 |
| 型号： BDW93A 品牌： 伯恩斯 封装： | 完全替代 | NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS | BDW93A-S和BDW93A的区别 |
| 型号： BD139-10 品牌： 意法半导体 封装： SOT-32 NPN 1250mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD139-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE | BDW93A-S和BD139-10的区别 |
| 型号： BD159G 品牌： 安森美 封装： TO-225 NPN 350V 500mA 20000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新 | BDW93A-S和BD159G的区别 |