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BD681

达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON

4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60, 80, 100 VOLTS, 40 WATTS

This series of plastic, medium−power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications.

Features

•High DC Current Gain:

hFE = 750 Min @ IC

      = 1.5 and 2.0 Adc

•Monolithic Construction

•BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682

•BD677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803

•Pb−Free Packages are Available
.
BD681中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 40000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BD681引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BD681 ON Semiconductor 安森美 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 搜索库存
替代型号BD681
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD681

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 100V 4A 40000mW

当前型号

达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON

当前型号

型号: BD681G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 100V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD681G.  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

BD681和BD681G的区别

型号: BD681STU

品牌: 安森美

封装: TO-126-3 40000mW

功能相似

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

BD681和BD681STU的区别