BLF6G27LS-50BN,112

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLF6G27LS-50BN/ACC-6L/STANDARD

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6

得捷:
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 BLF6G27LS-50BN/ACC-6L/STANDARD

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk

BLF6G27LS-50BN,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

额定电流 12 A

输出功率 3 W

增益 16.5 dB

测试电流 430 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-1121-5

外形尺寸

长度 9.91 mm

宽度 17.12 mm

高度 4.85 mm

封装 SOT-1121-5

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6G27LS-50BN,112引脚图与封装图

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