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BAS85,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BAS85,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

The is a planar Schottky Barrier Diode with an integrated guard ring for stress protection, with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for automatic placement and as such it can withstand immersion soldering.

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Low forward voltage
.
High breakdown voltage
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Guard-ring protected
.
10pF Capacitance
BAS85,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 800mV @100mA

热阻 320℃/W RθJA

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 5 A

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

长度 3.7 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOD-80

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 测试与测量, 电源管理, Power Management, Test & Measurement

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BAS85,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAS85,115 NXP 恩智浦 NXP  BAS85,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C 搜索库存
替代型号BAS85,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAS85,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOD-80C 800mV

当前型号

NXP  BAS85,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

当前型号

型号: BAS85.115

品牌: 恩智浦

封装: 800mV

类似代替

NXP BAS85.115 Small Signal Schottky Diode, Single, 30V, 200mA, 800mV, 5A, 125℃

BAS85,115和BAS85.115的区别

型号: TMMBAT42FILM

品牌: 意法半导体

封装: MiniMELF 30V 350mA 1V

功能相似

STMICROELECTRONICS  TMMBAT42FILM  二极管 小信号, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 5 ns, 4 A

BAS85,115和TMMBAT42FILM的区别

型号: BAS85-GS08

品牌: 威世

封装: SOD-80 200A

功能相似

VISHAY  BAS85-GS08  小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

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