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BAT854W,115

BAT854W,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BAT854W,115  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 100 mA, 550 mV, 600 mA, 150 °C

The is a planar double Schottky Barrier Diode encapsulated in a SOT323 very small surface-mounted device SMD plastic package. Single diode and double diode with different pinning are available. It is used for ultra high-speed switching, voltage clamping, protection circuits, blocking diodes and low power consumption applications e.g. hand-held applications.

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Very low forward voltage
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Very low reverse current
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Guard ring protected
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AEC-Q101 qualified
BAT854W,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 550mV @100mA

热阻 625℃/W RθJA

正向电流 100 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 550 mV

正向电流Max 0.2 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BAT854W,115引脚图与封装图
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在线购买BAT854W,115
型号 制造商 描述 购买
BAT854W,115 NXP 恩智浦 NXP  BAT854W,115  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 100 mA, 550 mV, 600 mA, 150 °C 搜索库存
替代型号BAT854W,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAT854W,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-323

当前型号

NXP  BAT854W,115  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 100 mA, 550 mV, 600 mA, 150 °C

当前型号

型号: BCW60B,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

完全替代

NXP  BCW60B,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 MHz, 250 mW, 100 mA, 180 hFE

BAT854W,115和BCW60B,215的区别

型号: BAT854W

品牌: 安世

封装: SOT-323

类似代替

肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流

BAT854W,115和BAT854W的区别

型号: BAT54FILM

品牌: 意法半导体

封装: SOT-23 30V 300mA 400mV

功能相似

STMICROELECTRONICS  BAT54FILM  小信号肖特基二极管, 30 V, 300 mA, 400 mV, 1 A, 150 °C

BAT854W,115和BAT54FILM的区别