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BC857BV
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BC857BV  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.4V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications |  PNP型通用双   通用转换和放大。 技术文档PDF下载 | 在线阅读

BC857BV中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 200 mW

最小电流放大倍数hFE 200

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BC857BV引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC857BV NXP 恩智浦 NXP  BC857BV  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666 搜索库存
替代型号BC857BV
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857BV

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-666 PNP 200mW

当前型号

NXP  BC857BV  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666

当前型号

型号: BC857BS

品牌: 恩智浦

封装: SC-88 PNP 200mW

完全替代

NXP  BC857BS  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

BC857BV和BC857BS的区别

型号: BC857BV,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-666 PNP 200mW

类似代替

NXP  BC857BV,115  双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666

BC857BV和BC857BV,115的区别

型号: BC857BS,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 PNP 300mW

功能相似

NXP  BC857BS,115  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

BC857BV和BC857BS,115的区别