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BF862,215
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  BF862,215  射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 20V 25MA SOT23


欧时:
NXP BF862,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 10 → 25mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA


艾睿:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 20V 40mA 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
BF862 Series 20 V 25 mA Surface Mount N-Channel Junction FET - TO-236AB


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 20V 40mA Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
JFET Transistor, Junction Field Effect, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CHAN 20V SOT-23


Win Source:
JFET N-CH 20V 25MA SOT23


BF862,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 25 mA

击穿电压 -20.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

重量 0.003215970116 kg

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 信号处理, 音频, Signal Processing, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BF862,215引脚图与封装图
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在线购买BF862,215
型号 制造商 描述 购买
BF862,215 NXP 恩智浦 NXP  BF862,215  射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷 搜索库存
替代型号BF862,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF862,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 300mW

当前型号

NXP  BF862,215  射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷

当前型号

型号: BF862,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236

完全替代

晶体管, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

BF862,215和BF862,235的区别

型号: BF862

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

BF862 N沟道结型场效应管 20v 10~25mA SOT-23 marking/标记 2A 前置放大器

BF862,215和BF862的区别