
针脚数 4
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 20.0 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143
封装 SOT-143
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Consumer Electronics, 射频通信, 消费电子产品, Communications & Networking, 通信与网络, RF Communications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17

BF991引脚图

BF991封装图

BF991封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BF991 | NXP 恩智浦 | NXP BF991 晶体管, 射频FET, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF991 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-143B N-Channel 20mA | 当前型号 | NXP BF991 晶体管, 射频FET, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B | 当前型号 | |
型号: BF991,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT N-Channel 20V 20mA | 完全替代 | BF991 系列 20 V 20 mA N沟道 双栅 MOSFET - SOT143B | BF991和BF991,215的区别 | |
型号: BF996S,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT | 完全替代 | BF996S 系列 20 V 30 mA N沟道 双栅 MOS-FET - SOT143B | BF991和BF996S,215的区别 | |
型号: BF998R,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143R N-Channel 200mW | 类似代替 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS | BF991和BF998R,215的区别 |