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BF861B,215

BF861B,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

NXP  BF861B,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

N 通道 JFET,


得捷:
JFET N-CH 25V 15MA SOT23


欧时:
NXP BF861B,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 6 → 15mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


艾睿:
If your circuit requires a high level of input resistance, this BF861B,215 JFET transistor from NXP Semiconductors can provide you a solution. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
BF861 系列 25 V 6.5 mA 250 mW N沟道 结型 FET - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  BF861B,215  JFET Transistor, JUNCTION FIELD EFFECT, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CHAN 25V SOT-23


Win Source:
JFET N-CH 25V 15MA SOT23


BF861B,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 15 mA

击穿电压 -25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF861B,215引脚图与封装图
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在线购买BF861B,215
型号 制造商 描述 购买
BF861B,215 NXP 恩智浦 NXP  BF861B,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号BF861B,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF861B,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

当前型号

NXP  BF861B,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: BF861B,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236

完全替代

晶体管, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

BF861B,215和BF861B,235的区别

型号: BF861C,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB 250mW

类似代替

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BF861B,215和BF861C,215的区别

型号: BF861A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB 250mW

类似代替

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BF861B,215和BF861A,215的区别