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BFP 620 H7764

BFP 620 H7764

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFP 620 H7764  晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE

SiGe 射频双极,

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。


艾睿:
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 2.3V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


BFP 620 H7764中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.185 W

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 185 mW

输入电容 0.46 pF

最小电流放大倍数hFE 110

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 185 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BFP 620 H7764引脚图与封装图
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BFP 620 H7764 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFP 620 H7764  晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE 搜索库存