BFS17
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
NXP BFS17 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 25mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 1GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS A wide range of RF applications such as:Mixers and oscillators in TV tuners RF communications equipment. 描述与应用| NPN1 GHz的宽带 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 广泛的射频应用，如：混频器和振荡器在电视调谐器射频通讯设备。
